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广东省科技厅无偿赞助“激光与增材制作”严峻专项:处理中心技能卡脖子问题

2019年8月29日,广东省科学技能厅发布《2019~2020年度广东省要点范畴研制方案“激光与增材制作”严峻专项申报攻略(征求意见稿)》,将针对高安稳紫外超快激光器高亮度半导体激光器芯片及运用工业用高亮度半导体激光器大功率蓝光半导体激光器与运用4D打印专用资料与变体结构智能打印调控技能杂乱三维微纳结构器材高精度增材制作技能非金属资料超高速光固化增材制作要害技能与配备高效大尺度激光选区熔化增材制作及复合制作工艺与配备面向骨精准修正的生物活性资料增材制作技能与配备超快激光多轴精细加工刀具配备研制与运用共10项激光与增材制作技能项目进行无偿赞助!

《申报攻略》表明,为全面贯彻执行党的十九大和习近平总书记关于加强要害中心技能攻关的系列重要讲话精力,依照省第十二次党代会、十二届四次、六次全会和全省科技立异大会相关布置,执行《“十三五”广东省科技立异规划(2016~2020年)》《广东省要点范畴研制方案施行方案》,以国家战略和广东工业展开需求为牵引,瞄准世界最前沿,集聚国内优势团队,集中力量联合攻关一批限制工业立异展开的严峻技能瓶颈,把握自主知识产权,获得若干标志性效果,发动施行“激光与增材制作”严峻专项。

本严峻专项方针是:环绕我省战略性新兴工业要点范畴,在激光制作与增材制作的高功能要害器材/部件、严峻要害技能方面获得打破性展开,处理激光制作与增材制作原创性技能缺乏和要害中心技能上的“卡脖子”问题。进一步霸占激光制作与增材制作范畴的中心技能和要害工艺,不断推进技能迭代,研制一批激光制作与增材制作智能配备,并完结典型运用演示,构成激光制作与增材制作技能立异和工业高地,促进广东高端制作工业的展开和传统制作工业的转型晋级。

本专项要点布置三个专题,拟支撑10个项目,项目施行周期为3年。申报时研讨内容有必要包括该项目下所列的悉数内容,项目完结时应完结该项目下所列一切查核目标,参研单位总数不得超越10个。一切项目除特别阐明外,鼓舞大型企业联合立异型中小企业、高校、科研院所等单位,展开产学研协作申报。

专题一、高功能要害器材、部件(专题编号:20190000)

项目 1 高安稳紫外超快激光器

研讨内容:

研制高重频、窄脉宽、高平均功率的355nm紫外激光光源。展开大尺度晶体资料、高抗损害镀膜、非线性频率改换等技能研讨;打破高功率皮秒、飞秒超快激光种子光源、啁啾扩大、色散补偿、SBS按捺等要害技能;完结整机热效应按捺、光束质量演化与自动控制、双轴晶体走离补偿、工程扮装调工艺、可靠性等技能研讨;完结355nm工业级皮秒、飞秒紫外超快激光器工业化和运用演示。

查核目标:

研制彻底自主高安稳紫外皮秒、飞秒激光器。

1)皮秒激光器:中心波长355nm,脉宽≤15ps,平均功率≥40W。

飞秒激光器:中心波长355nm,脉宽≤800fs,平均功率≥20W。

2)激光器重复频率可调,规模为10kHz~1MHz,安稳性±3%;

M2因子≤1.5,功率安稳性(RMS)≤1.5%,运用寿数≥20,000h。

3)完结355nm皮秒、飞秒激光器工业化。本项目研制的皮秒激光器出售不少于50台、飞秒激光器不少于15台,并在激光制作配备上完结运用演示。

支撑办法:无偿赞助。

项目 2 高亮度半导体激光器芯片及运用

研讨内容:

针对半导体激光芯片的严峻需求,展开激光增益芯片超低反射率腔面膜规划、制作和腔面钝化技能以及有源区和波导结构研讨;展开外腔反应对激光增益芯片内部光场散布的调控及芯片可靠性等功能影响研讨;展开激光增益芯片封装对外腔反应光谱确定影响技能和密布型光谱合束技能研讨;打破激光增益芯片光谱确定及防串扰、光谱合束谱宽窄化等要害技能,完结芯片制作、集成、封装、可靠性等国产化及小批量出产。

查核目标:

1)研制彻底自主的用于密布光谱合束的半导体激光芯片,单管输出功率≥16W(100μm宽度),电光功率≥60%,光束质量优于4mm·mrad。

2)研制光纤耦合输出光纤激光泵浦模块:激光功率≥500W,光纤参数≤105μm/0.18NA,中心波长976nm±0.3nm,光纤输出光谱宽度≤4nm,电光功率≥45%,寿数≥10,000h,出售不少于100台,并完结运用演示。

支撑办法:无偿赞助。

项目 3 工业用高亮度半导体激光器

研讨内容:

面向制作业范畴对大功率高亮度激光光源的严峻需求,根据国产半导体激光芯片,展开双面自动散热、热沉、大功率多光束组成、光纤耦合、光束整形等要害技能研讨,打破半导体激光器失效机理、芯片腔面特别处理技能与工艺,完结大功率半导体激光器制作、集成、封装、测验和可靠性的国产化及小批量出产。

查核目标:

研制彻底自主的高安稳紫外超快激光器。

1)研制彻底自主的半导体激光单管,高亮度单管输出功率≥20W(100μm宽度),高功率单管输出功率≥35W(200μm宽度),光束慢轴发散全角≤9°,中心波长955nm~995nm,电光功率≥63%;封装高功率巴条,单巴输出功率≥500W。

2)开发输出功率4kW@100um高亮度光纤耦合模块和输出功率10kW@400um的系列化长寿数光纤输出半导体激光器,中心波长975nm,光纤输出光谱宽度≤40nm,电光功率≥45%,预期寿数大于10,000h。

其间:4kW@100um光纤耦合模块光束质量优于4mm·mrad,且出售不少于50台;输出功率大于10kW@400um光纤耦合器光束质量优于20mm·mrad,且出售不少于10台。

3)完结两型模块在增材制作/激光制作配备上的运用演示。

支撑办法:无偿赞助。

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