侵权投诉
订阅
纠错
参加自媒体

高功率半导体激光器进程回忆与工业现状

激光技能已成为现代生活中不行代替的技能之一,不论是工业加工、医疗美容、光纤通讯,仍是近年来炽热的无人驾驶、智能机器人等,都与激光技能休戚相关。今日咱们主角是半导体激光器,小编将带咱们一同回忆它的开展进程及工业现状。

半导体激光器开展史

从理论开展到试验室研制

激光的来源能够追溯到1916年爱因斯坦发布的《关于辐射的量子理论》 一文。爱因斯坦初次提出受激辐射理论,为日后激光的开展供给了理论基础。40年后,关于能否用半导体资料构成激光的论题开端被物理学家留意,艾格瀚等科学家提出了许多半导体激光器的想象及或许。

blob.png

经过几年的证明与试验,同质结GaAs半导体激光器于1962问世。但由于同质结半导体激光器的临界电流密度很高,不能在室温下完成接连受激激起,导致其几乎没有任何实用性。因而半导体激光器的研讨方向指向了“完成室温情况下接连受激激起”。

为处理临界电流密度高的问题,科学家们提出了异质结构半导体激光器的概念,经过用不同带隙的半导体资料薄层组成“结”,有效地下降了临界电流密度。1967年,单异质结半导体激光器问世。与同质结半导体激光器比较,单异质结半导体激光器临界电流密度有了大幅度的下降,但仍处在一个较高的方位,未能完成室温条件下的接连受激激起的研讨方针。尽管如此,单异质结半导体激光器的前史位置也不容小看,它所运用的异质结结构与液相外延技能,为接下来的研讨供给了重要的理论基础和技能支持。

安稳激起、进步寿数,半导体激光器走向实践运用

异质结构的成功运用为科学家指明晰方向。已然单异质结半导体激光器的临界电流密度依然偏高,那么双异质结构作用怎么样呢?

blob.png

1969年9月,Leningrad Ioffe研讨所发布了双异质半导体激光器(AlxGa1-xAs--GaAs)开端的研讨成果。1970年头,贝尔试验室成功下降了双异质半导体激光器的临界电流密度, 完成了室温条件下的接连受激激起,宣告双异质半导体激光器问世。同年5月,Leningrad Ioffe研讨所也成功完成双异质半导体激光器在室温下的接连受激起射。

室温下接连受激起射是激光器走向实用性的第一步。处理了室温下可用,就该考虑室温下经用的问题了,半导体激光器的研讨方向也随之转向“完成器材的长寿数与安稳性”。

世界科研人员经过不断改善器材结构,逐渐进步了半导体激光器的作业寿数,在1977年完成了双异质短波长半导体激光器接连作业1×106个小时。尔后,美、日等国就改善器材结构、进步器材安稳性、下降损耗等方面打开研讨,研制出CDH、BH、TJS、CDH等结构的AlGaAs—GaAs激光器,均完成了温室下接连受激激起及单模化作业。

长寿数光源的呈现,为半导体激光器走向实践运用铺平了路途。研讨人员发现,半导体激光器的波长与光纤十分般配,十分适合用于光纤通讯,因而半导体激光器搭上了光纤通讯的开展列车,在不断进步的一起也推动着光通讯职业的开展。

1  2  3  4  下一页>  
声明: 本网站所刊载信息,不代表OFweek观念。刊用本站稿件,务经文面授权。未经授权制止转载、摘编、仿制、翻译及树立镜像,违者将依法追究法律责任。

宣布谈论

0条谈论,0人参加

请输入谈论内容...

请输入谈论/谈论长度6~500个字

您提交的谈论过于频频,请输入验证码持续

暂无谈论

暂无谈论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联络邮箱:
*验 证 码: